Samsung Produksi Massal Memori Flash V-NAND Generasi Kelima

TEMPO.CO, Jakarta - Perusahaan elektronik Korea, Samsung, mengumumkan bahwa mereka mulai memproduksi chip memori V-NAND generasi kelima. Dilansir GSM Arena, 10 Juli 2018, fitur utama produk baru ini adalah adopsi antarmuka NAND "Toggle DDR 4.0".

Baca: Samsung Pilih India untuk Bangun Pabrik Smartphone Terbesar Dunia

V-NAND generasi kelima memungkinkan transfer antara penyimpanan dan RAM 40 persen lebih cepat dibanding pendahulunya mencapai puncak 1.4Gbps. Namun, seiring dengan kinerja yang lebih baik, memori baru ini memberikan efisiensi daya yang lebih baik juga, sekitar 1,8 volt hingga 1,2 volt.

Chip V-NAND generasi baru dibuat mirip dengan yang sebelumnya. Tapi, ia tak menggabungkan 64 lapisan. V-NAND terbaru dilengkapi dengan 90 lapisan dari sel flash charge trap (CTF). Mereka ditumpuk dalam struktur seperti piramida dengan lubang mikroskopis di tengah. Lubang-lubang ini berfungsi sebagai saluran dan hanya selebar beberapa ratus nanometer yang mengandung lebih dari 85 miliar sel CTF yang masing-masing menyimpan hingga tiga bit data.

Dalam kecepatan tulis, V-NAND generasi kelima dapat mencapai kecepatan 500 mikrodetik (μs), lebih cepat sekitar 30 persen dari pendahulunya. Waktu respons untuk membaca sinyal juga turun hingga 50μs. Selain itu, ia juga memiliki Chip 256 gigabita (GB) baru berkinerja tinggi.

Diberitakan Hexus, 10 Juli 2018, dalam pernyataan yang dikirim bersama pengumuman V-NAND generasi ke-5 ini, EVP Produk Flash dan Teknologi Samsung, Kye Hyun Kyung, mengatakan, "Selain kemajuan terdepan yang kami umumkan hari ini, kami sedang mempersiapkan untuk memperkenalkan kapasitas 1 terabita (Tb) dan penawaran quad-level cell (QLC) ke jajaran V-NAND kami, yang akan terus mendorong momentum untuk solusi memori NAND generasi mendatang di seluruh pasar global."